Analyse numérique des performances des lasers à émission de surface à cavité verticale (VCSEL) sous stress thermique.

Abstract

Inventés dans les années 1960, les lasers à semi-conducteurs ont aujourd’hui atteint un niveau de maturité technologique garantissant leur omniprésence dans de nombreux secteurs d’applications. L’objectif de ce travail est l’étude des diodes lasers à semi-conducteurs, plus particulièrement les diodes lasers à émission de surface à cavité verticale VCSEL. Après avoir présenté la structure du VCSEL, nous nous sommes intéressés à la modélisation et à la simulation de cette dernière sous stress thermique. La stratégie utilisée pour l’optimisation consiste en premier lieu à utiliser un algorithme en changeant à chaque fois la température en utilisant la même fraction molaire pour l’alliage InGaAsP. A travers les résultats qu’on a obtenus, on a pu comparer les différents effets de la température sur les différents paramètres tel que le gain, le potentiel…etc.